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按此芯片的（图1）的硅纳米线是由TZ-接枝硅纳米线，其通过光刻图案化和Ag纳米颗粒为模板的湿法蚀刻（27）的组合来制造的。将得到的垂直对准的硅纳米线（19）被切割成单独的芯片，然后处理以系绳Tz的基序到纳米结构。如图2A中所示，（3-巯基丙基）三甲氧基硅烷（MPS）是气相沉积在硅纳米线。由硅烷处理的硅纳米线呈现的终端硫醇基团，然后用邻 - 吡啶基二硫化物的聚乙二醇胺（OPSS-PEG-NH 2）反应，以结合由胺基封端的二硫化物连接体部分。最后，一个TZ-磺基-NHS酯耦合到终端胺以产生TZ-接枝硅纳米线。